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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A也是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器，采取無引腳RoHS兼容型SMT封口。 該配件出具13 dB小數據準換增加收益，兼有25 dBc邊帶壓制。 HMC6147ALC5A采取低燥音變成器來驅使I/Q混頻器，LO由X2倍頻器驅使。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A有的是款緊身型GaAs MMIC I/Q下交流伺服，通過具有RoHS規定的12引腳、淘瓷無鉛處理器質粒載體(LCC)封裝形式。該電子元件供應14 dB的小的信號更換增加收益和25 dBc的映射可抑制耐腐蝕性。HMC6789BLC5A通過低躁音縮放器推動I/Q混頻器，這之中LO由x2乘法器推動

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E就是款狹窄型GaAs MMIC鏡象軟件促使低背景噪聲直流三菱變頻器，采取復合RoHS規則的無鉛SMT封裝形式。 該電子元器件能提供13 dB的小訊號轉移增加收益，17 dBc的鏡象軟件促使和-2 dBm插入IP3。 HMC1065LP4E通過RF LNA和由有源X2倍頻器驅使的I/Q混頻器的工作。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E也是款狹窄型GaAs MMIC I/Q下交流變頻器這一物件，進行了無鉛5 x 5 mm低應力應變注塑機塑膠板材表貼封裝。 該集成電路芯片展示 12 dB的小訊號更換增益值、1.8 dB的噪聲污染比率和25 dBc的系統鏡像系統促使作用特點。 HMC1113LP5E進行了LNA，后接由LO緩存器增加器win7驅動的系統鏡像系統促使作用混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B有的是款緊身型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器，主要適用契合RoHS條件的無引腳SMT封裝形式。 該配件在一整個頻段領域內供應13 dB的小表現轉型增益值、2 dB的的噪音常數和24 dB的鏡象系統限制性能方面。 HMC951B主要適用LNA，后接由LO抗震器縮放器安裝驅動的鏡象系統限制混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108也是款寬敞型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單ibms塊微波通信ibms電路設計(MMIC)同相正交(I/Q)低低頻噪音切換器，適用遵循RoHS標準的的陶瓷圖片無鉛ibms塊各種載體二極管封裝。HMC8108將領域為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)放入數據網絡信號切換為傷害商品詳情頁60 MHz經典單端中頻(IF)數據網絡信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE不是款家用suvsuv型I/Q MMIC混頻器，運用“無鉛”SMT封裝形式，常用作鏡像軟件調控混頻器或一側加上變頻器這一物件器。 該混頻器運用2個規范標準Hittite雙動平衡機混頻器單元測試卷和一款 70度混合著元器，均運用GaAs Schottky電子元器件大家庭中的一員-二極管技術開發。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E就是款狹窄型I/Q MMIC混頻器，應用“無鉛”SMT封裝類型，常用作系統鏡像可抑制混頻器或一側攜帶伺服控制器器。 該混頻器應用三個原則Hittite雙動態平衡混頻器單位和有一個九十度攪拌配件，均應用GaAs Schottky肖特基二極管技術營造。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 開發在Qorvo的氮化鎵高技術設備基礎理論之內，該高技術設備可體現更加高的能力，穩定系統可靠性，輸出工作電壓和可求生存性，并可合理節省面積，總重量和代價。每個FEM將關鍵的的T / R控制模塊性能集成化到是一個緊湊型轎車的裝封中：T / R電源開關，輸出工作電壓變成器和低噪音變成器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A是款砷化鎵(GaAs)單ibmsic微波加熱ibms三極管(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，利用符合標準規范RoHS標準規范的24引腳、瓷器無鉛ibmsic形式(LCC)封裝形式。該電子元件可以用在作映射治理和改善混頻器或單向帶到直流軟啟動。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191有的是款無源光纖寬帶I/Q單融合集成運放芯片微波通信融合集成運放(MMIC)混頻器，可以用在作收到器系統鏡像可抑制混頻器或發器單側攜帶變頻式器。HMC8191有6 GHz至26.5 GHz的rf射頻(RF)和本振(LO)規模與DC至5 GHz的中頻(IF)上行帶寬，至關合適需求寬頻段規模

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B一款寬敞型GaAs MMIC I/Q混頻器，按照包含RoHS標化的無引腳SMT工業陶瓷裝封。 該功率功率器件快速可用作鏡像系統可以抑制混頻器或單向帶著軟啟動器。 該混頻器按照倆個標化雙動平衡混頻器單元和同一個180度混功率功率器件，均按照GaAs MESFET流程產生。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4就是一款高動態信息依據GaAs PHEMT MMIC一般耗油率調小器，按照無引腳“無鉛”SMT裝封。 該調小器存在17至24 GHz的的工作依據，提拱22 dB增益值、+26 dBm是處于飽和狀態耗油率和23% PAE（+5V電源線電流電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4是一個款通用的GaAs PHEMT MMIC安裝驅動放縮器，運用非常符合RoHS規范標準的無引腳SMT芯片封裝。 該放縮器運用+5V單供電，增加收益為15 dB，達到飽和狀態電機瓦數為+18 dBm。 在正個崗位頻寬內兼備同樣的增加收益和輸出電機瓦數

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4一款GaAs PHEMT MMIC驅動軟件圖像運放電路，通過無鉛4x4 mm表貼工業陶瓷封裝類型，辦公頻帶寬度位置為5.5至17 GHz。 該圖像運放電路供應達到30 dB的增加收益、+30 dBm打印導出IP3及+23 dBm的打印導出最大功率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4是款GaAs PHEMT MMIC驅動安裝變成器，應用無鉛4x4 mm衛浴陶瓷表貼打包封裝，事業次數超范圍為5至20 GHz。 該變成器具備敢達21 dB的收獲、+29 dBm輸出IP3及+22 dBm的輸出工作電壓（1 dB收獲降低時），功能損耗為180 mA（+5V電源模塊）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498是一種款高各式各樣使用區間GaAs PHEMT MMIC最大最大功率調小器，工作中次數使用區間為17至24 GHz。 HMC498展示 24 dB增益控制，飽合最大最大功率為+27 dBm，電源線電流為+5V (25% PAE)。 鑒于寬度較小，HMC498調小器可輕松自由集合到多集成ic控制模塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596一款多級GaAs HEMT MMIC中低檔內容輸出效率圖像放大器電路，操作速度規模為16至33 GHz。 HMC-APH596保證17 dB增加收益，運用+5V供電電壓值時具備+24 dBm內容輸出內容輸出效率（1 dB文件壓縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專用設計在以較小的直流電壓工作電壓構建高OIP3。超曲線耐腐蝕性已在150MHz至3GHz的標淮頻段中受到證明文件。RFGA2012具備有VBIAS引腳，支持觀眾而對指定區域標準要求優化提升動態電壓電流。VBIAS引腳也能夠用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024就是一款高效果InGaP HBT MMIC變小器。RFGA0024的間接管理有源偏置控制電路允許的變小器可以從5V電源適配器做工作，并展示動態平衡的瞬時電流隨濕度變現處以理Beta變現。一款達林頓變小器的間接管理配比阻值為50歐姆，是非常適必須小盡寸和最多間接開關元件的使用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014一款高功能InGaP HBT MMIC變成器。RFGA0014的內有源偏置線路能變成器就直接從5V開關電源運行，并具備可靠的工作電流隨溫度因素變換沒收違法所得理Beta變換。這車達林頓變成器的內相匹配電阻器為50歐姆，很合適要小厚度和數最多外部鏈接元器件封裝的app。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為從而或變頻器器級應運制作的概念的直線輸出的精度耗油率調大器IC。該元器件利用配有上面等電位連接的無引線基帶芯片質粒。RF5633制作的概念中用在諸多的濕度和輸出的精度耗油率輸出的精度領域內控制直線。異常配對為數個頻段的輸出的精度輸出的精度耗油率具備可變性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為適中效率軟件應用制定的平滑效率變大器IC。該元件選擇先進性的InGaP異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）藝開發，制定當做802.16e使用器的以后rf射頻變大器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827也是款常用，低料工費，高直線度的RF變小器IC。該元器件封裝用于砷化鎵工序制作，用于3mm x 3mm，16引腳QFN封裝。它尤其適用用到直線/低嗓聲變小器，進來OIP3相當于38dBm，嗓聲彈性系數少于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是款便捷率砷化鎵異質結雙極結晶管（HBT）增加器，實用成本低費表面能貼裝封口。該增加器更加實用來可以200MHz至3GHz速度領域內的高平滑度和低燥音常數的操作。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223是款使用控制成本投入界面貼裝裝封的優質GaAs異質結雙極納米線管（HBT）放小器。該放小器十分采廣泛用于須要500MHz至3GHz規律面積內的高線形度和低躁聲數值的應用領域。RF3223使用單5V電用電，使用金錢的3mm x 3mm QFN裝封。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220就是款錯誤率率砷化鎵異質結雙極結晶管（HBT）變大器，選取低生產成本外層貼裝打包封裝。該變大器無比適用作于可以500MHz至3GHz速率使用范圍內的高非線性度和低環境噪聲公式的應用軟件。RF3220選取單5V電源線供氣，選取經濟性的3mm x 3mm QFN打包封裝。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是爭對3V手執系統的高工作質量高效、性價比最高率非線性圖像圖像放大電路IC。該元器件適用最新的砷化鎵異質結雙極晶胞管（HBT）工藝來設計產生，來設計代替雙模式切換3V CDMA / AMPS手執小數蜂窩設備擴頻系統和其余廣泛應用中的后面RF圖像圖像放大電路。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000一款智能家居控制式限幅器/ LNA，可在2-20GHz工作頻率規模內供給穩進，性比較高參數。QPM1000在增加收益值控制下供給17 dB的小信息增加收益值，在全部工作頻率規模內具備有1.7 - 4 dB的噪音分貝指數，> 18 dBm P1dB。顯然，智能家居控制限幅器供給高達hg4 W的入射最大功率的穩進性標準，而不用拉低性參數。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM創辦于1999年111月，由這群在紅外光電路系統化規劃和紅外光電子元件加工加工工藝設備上經驗總結多種多樣的紅外光規劃師組合而成。它座落意大利馬里西安蓋瑟斯堡，距華盛頓華北約20英里。該我司算作領跑的紅外光規劃組織機構化有著盛譽，該組織機構化包含工作效率FET，MMIC工作效率放小器已經帶RF和DC連入器的高工作效率放小器模組，哪些模組已需要準備好用嗎于紅外光系統化。