一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這里2x1.12mm的產品對接1.12mm的5個DC和RF并接模塊式鋰電輸出精度集成電路芯片。咱們號稱效能HIFET〔4, 5, 6，7〕。直流電電流電流電壓偏置電流電流電壓與rf頻射這里HIFET的的內容打出電阻值基本都是1.12mm模塊式鋰電設施。依據十分取舍模塊式鋰電輸出精度集成電路芯片圖片尺寸圖和并接模塊式鋰電輸出精度集成電路芯片的人數可優化方案HIFET佳的內容打出電阻值非常相似高達50歐姆，確保寬帶網絡網絡效能。圖2A和2B信息顯示首要時候和2時候的輸人和的內容打出電阻值，都。請提前準備，2時候絕佳。在0.25GHz的的內容打出電流電阻值非常相似50歐姆。這里最終表明低rf頻射耗損寬帶網絡網絡切換，這便是高的內容打出輸出精度確保寬頻率段的主要性和錯誤率。這50歐姆佳的內容打出電阻值為依據十分取舍模塊式鋰電輸出精度集成電路芯片圖片尺寸圖和編產品的人數。是由于2時候有2模塊式鋰電并接，直流電電流電流電壓偏置電流電流電壓為60V的2時候。