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采用有著單獨柵極偏置調節的并行計算納米線管的GaN HEMT變大器的直線開展

上線時間段：2018-05-04 13:53:07     瀏覽器：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：安全使用兼具獨有柵極偏置抑制的串并聯結晶管的GaN HEMT圖像功率放大器的平滑怎強。 GaN HEMT具備著較高的工作輸入輸出工作公率黏度和較寬的上行寬帶錯誤率。然而 ，GaN HEMT的非線形一般地比GaAs公率電子元器件的非線形更差。本論文提到了了種簡短的方式 來從而提高GaN HEMT的非線形度。所提到的方式 是將公率電子元器件劃分成與孤立設定的柵極偏置電壓降串聯的多子單元，而后將工作公率合并以子單元工作輸入輸出。扮演放小器..
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