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HMC455LP3(E)就是一款高傷害的IP3 GaAs InGaP異質結雙導電性結晶體管(HBT)、1?2瓦特MMIC增加器，在1.7至2.5 GHz的頻段下工作的。 該增加器僅利用最窄數據的外表元器件，出示13 dB的收獲，在PAE為56%時出示+28 dBm的飽滿耗油率，利用1個+5 Vdc直流電壓供電。 考慮到更具+42 dBm的高傷害IP3，再融合1.4:1的低VSWR，這樣HMC455LP3(E)成了適于PCS/3G無線路由基礎理論措施的非常完美驅動安裝增加器。 游戲直線增加器主要采用低總成本的無引腳3x3 mm QFN漆層貼裝二極管封裝(LP3)。 LP3出示爆露基極以體現不錯的RF和cpu散熱效果。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC455LP3ETR HMC455LP3E	?瓦特高IP3放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.5 GHz	現貨	269

HMC455LP3應用

• 多載波系統
• GSM、GPRS和EDGE
• CDMA和WCDMA

• PHS

HMC455LP3優勢和特點

• 輸出IP3： +42 dBm
• 增益： 13 dB
• PAE為56%（Pout為+28 dBm時）
• +19 dBm的W-CDMA通道功率（ACP為-45 dBc時）
• 3x3 mm QFN SMT封裝

HMC455LP3結構圖