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公布的期限:2025-09-02 17:10:49 觀看:39
HCB1075N題材是DELTA(臺達)專為高功率密度計算公式APP創建的多核方面單單從表面貼裝(SMT)公率電紅外感應器,主要包括鐵氧體磁芯與幾層平繞結構的,可以280A功率功率及100μH標稱電感量,有高頻率低材料耗費、耐室溫(125℃)和強抗磁感應電磁波輻射工作能力,非常廣泛操作于DC-DC改換器、DC-AC升壓器及服務管理器、1050顯卡、5G通訊等高工作功率電引擎,以寬敞貼片封裝體現高效能激光能量變換與穩固配電。
基本點參數值
電力工程性能方面
額定容量功率:280A。
電感值:100μH(位置規格不得差值±15%)。
工作上頻帶寬度:鼓勵高頻技術應用(100kHz自測生活條件),感抗XL為24.8Ω,品級質因數Q為12。
溫度表領域:-40℃至125℃。
形式與物料
磁芯與繞線:利用鐵氧體磁芯與多層住宅平繞式繞線設備構造,磁芯電機轉子制定系統優化磁通硬度,消減漏磁。
封裝類型的形式:貼片工作功率電感封裝,磁芯圖行為罐形,骨架文件為鎂合金碎末,升級散熱耐磨性。
屏避性能指標:內裝攔截層,抑制電磁振動器干預(EMI),適于高硬度電路板空間布局。
營造加工制作工藝
進行高壓注塑成型技術水平:磁體硅橡膠物料(磁體粉化+熱固性硅橡膠)經由高壓電成型。包圍電磁鐵,加強形式程度與可以信賴性。
電極材料的設計:工體成分主要采用“工字型”受力,磁圈接線端子排能夠 智能機械去皮展露,并蓋住錫電鍍件或焊料產生安全探針面。

包括特殊性
高工作電流工作能力:飽和狀態電流量(Isat)最高的人達 94 A,效果工作電流(Irms)比較高達 76 A。
低外部輪廓結構設計:位置僅 7.5 mm,可用來纖薄電源線設計方案。
磁攔截構造:閉鎖磁路開發,可觀大大減少 EMI,減掉對相應構件擾亂。
低直流電阻值:DCR 低至 0.29 mΩ,可行較低導通耗率,增長操作系統有效率。
環保節能合規經營:遵循 RoHS 環保型規范。
利用場景中
高工作電壓算起機械
l 獨顯與服務保障器芯片組:HCB1075N型號電紅外感應器寬泛軟件于獨顯(如AMD/NV編)及服務項目器cpu,適用大感應電流低感值需要,抓好交流電源轉為錯誤率。
l CPU/GPU供電局:樂隊整體式大輸出規劃可用于過去的分立電感,變少PCB使用率房間,改善電率黏度。
工業品與電力業務領域
l 5G通訊網絡移動移動基站:低頻大瓦數特征能夠滿足信號塔電源開關控制器消費需求,穩定性高不支持高電流執行。
l 工業控制板與礦機及周邊產品:耐高溫作業、抗共振設定不適應工業企業周圍環境,保護暫時安穩性。
優勢可言個人總結
高直流電承重工作能力:280A額定電流量遠超常規電感,無法極端化電機功率具體需求。
中頻低耗用:鐵氧體磁芯與改進繞線構造減輕交流電電容(Rdc),提拔Isat值(飽合瞬時電流)。
中型化定制:貼片芯片封裝與緊湊型轎車設計(如HCB1075N-211規格僅需小量PCB區域空間)助力器裝置清薄化。
上海市立維創展社會有限制的介紹以DELTA不少期貨銷量為代表性,以資源優勢的收費為買家作為服務管理,熱情接待網絡咨詢。
類別型號規格
具體型號 | 電感量 L (μH) | 整流功率電阻 DCR (mΩ) | 是處于飽和狀態直流電壓 Isat (A) | 功率電流值 Irms (A) | 寬度 L×W×H (mm) |
HCB1075N-121 | 0.115 | — | — | — | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-151 | 0.150 | — | 94 | 76 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-181 | 0.175 | — | 72 | 59 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-211 | 0.215 | 0.29 | 62 | 50 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-231 | 0.230 | — | 48 | 39 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-271 | 0.270 | — | 43 | 35 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-311 | 0.310 | — | 37 | 30 | 10.4×8.0×7.5 |