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公布的耗時:2024-12-02 17:14:36 手機瀏覽:726
CMPA0060002D不是種帶著氮化鎵(GaN)高電子為了滿足電子時代發展的需求,搬遷率多晶體管(HEMT)的單支微波射頻一體化電路系統(MMIC)。與硅或砷化鎵比起來較,GaN包括愈來愈非常好的的耐磨性,包函最高的擊穿電壓場強、最高的飽滿電子元器件漂移效率與最高的導熱性標準值。與Si和GaAs多晶體管優于較,GaN HEMT還可以提供越高的工作效率導熱系數和更寬的下行帶寬。CMPA0060002D動用地理分布式架構(導波)縮放器來設計策略,能夠在更小的暫用規模內完成極寬的帶寬起步。

特征英文
?17 dB小移動信號收獲值
?2 W常見PSAT
?固定輸出功率達到28V
?高電壓擊穿場強
?室溫度實用
?盡寸0.169 x 0.066 x 0.0049英寸
用途
?加寬帶圖像放大儀
?光仟線能夠器
?測式生產設備
?EMC增加器控制器
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