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應用擁有單獨的柵極偏置掌控的并行性多晶體管的GaN HEMT變成器的平滑加強

發布的準確時間：2018-05-04 13:53:07     瀏覽訪問：9393

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：實用有自己柵極偏置操縱的串連晶胞管的GaN HEMT圖像放大器電路的直線增強。 GaN HEMT含有較高的輸出平均額定功率容重和較寬的傳輸速率效應。只是，GaN HEMT的線形非常典型地比GaAs元器的線形更差。這段話提交半個種簡便的做法來提升 GaN HEMT的線形度。所提交的做法是將元器劃分成與獨力控制的柵極偏置線電壓串聯的多種子模塊，其次將平均額定功率合全為子模塊輸出。扮演者變小器..
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