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GTRB246608FC-V1是CREE的市場上500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子技術轉化率晶胞管（HEMT），長期以來打造于多標準規定蜂窩狀額定功率調小器應用領域需要量制定。GTRB246608FC-V1掌握高效益率和無軸環的熱強化封裝類型。

廠品型號

敘述：高電機功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

上限率（MHz）：2400

增益控制（dB）：15.7

芯片封裝行業類型：Earless

表現形式

明顯脈沖造成的CW穩定性，2400 MHz，48 V，10μs激光脈沖頻繁，10%占空比，組和輸入

P4dB=600 W時的導出電率

P4dB=60%時的率

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