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發布公告周期:2024-11-18 17:03:20 打開網頁:798
CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高智能遷入率晶狀體管(HEMT)。與硅或砷化鎵差距較,GaN必備優良的性能方面;包括較高的電壓擊穿場強;飽合電子無線偏位快速較高;下列關于較高的傳熱系數性。與Si和GaAs結晶體管優于較,CGHV60170D供應較高的效率黏度和更寬的頻段高度。

成品要求
詮釋:170瓦;6.0 GHz;50VGaN HEMT電源芯片
低于規律(MHz):0
上限的頻率(MHz):6000
增加收益值(dB):17
封裝形式類目:Die
的特點
65%主要額定功率增添速度
170 W舉例PSAT
50V調節
高擊穿電壓場強
頻段領域高至6 GHz
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