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?CGHV60170D-GP4高電子元器件知識率晶胞管

發布公告周期:2024-11-18 17:03:20     打開網頁:798

CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高智能遷入率晶狀體管(HEMT)。與硅或砷化鎵差距較,GaN必備優良的性能方面;包括較高的電壓擊穿場強;飽合電子無線偏位快速較高;下列關于較高的傳熱系數性。與Si和GaAs結晶體管優于較,CGHV60170D供應較高的效率黏度和更寬的頻段高度。

CGHV60170D-GP4.png

成品要求

詮釋:170瓦;6.0 GHz;50VGaN HEMT電源芯片

低于規律(MHz):0

上限的頻率(MHz):6000

增加收益值(dB):17

封裝形式類目:Die

的特點

65%主要額定功率增添速度

170 W舉例PSAT

50V調節

高擊穿電壓場強

頻段領域高至6 GHz

成都 市立維創展自動化授權管理經銷MACOM設備線,注意銷售MACOM的可變性收獲拖動器,耗油率拖動器,低嘈音拖動器,線型拖動器,混合型喂養拖動器,FTTx增加器,地理集中式增加器,增加器增益值版塊,有源溶合器,功分器,倍頻器,相混式混頻器,混頻器,上變頻器,數字81衰減器,數字81移相器,最大功率檢查器,壓控衰減器等各種半導。如需采購MACOM車輛,請點選右邊客服在線服務咨詢!!!

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