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上線日期:2024-11-06 17:13:24 瀏覽記錄:702
GTRB204402FC/1是CREE的一件350瓦(P3dB)的SiC上GaN高電商搬遷率結晶體管(HEMT),傾力于多要求蜂窩狀輸出功率拖動器能力廣泛應用所需開發。GTRB204402FC提供便捷率和無軸環的熱強化二極管封裝。

物品要求
舉例說明:SiC HEMT上的高馬力RF GaN 350 W,48 V,1930-2020 MHz
更低幀率(MHz):1930
很高率(MHz):2020
P3dB輸入輸出工率(W):350
增益控制值(dB):16.3
高效能率(%):58
電機額定功率電流(V):48
封裝類型專業類別:Earless
芯片封裝形式:芯片封裝形式分立氯化鈉晶體管
科技:SiC上的GaN
癥狀
經典的脈沖發生器CW機械性能,2020 MHz,48 V,10μs電脈沖高寬比,10%pwm占空比,樂隊組合輸出精度
P3dB=350W時的輸送瓦數
P3dB時的高效、性價比最高率=65%
超模建模方法1C級(只能根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
無鉛并夠滿足RoHS規定
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