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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高耗油率RF GaN調小器，利用于多規范蜂窩狀效率調小器科技利用。GTRA262802FC符合輸人替換、快速率和無軸環熱增進芯片封裝的特征參數。

型號運作

表述：SiC HEMT的高輸出功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

低些頻段（MHz）：2490

最底頻率（MHz）：2690

P3dB打印輸出最大功率（W）：250

增加收益值（dB）：14

利用率（%）：54

電機額定功率電阻（V）：48

裝封性質：Earless

芯片封裝形式：芯片封裝形式分立晶狀體管

技術采用采用：SiC的GaN

本質特征

?GaN-on-SiC HEMT科技應用軟件

?鍵盤輸入兼容性測試

?典型的的電脈沖CW特點，2605 MHz，48 V，樂隊組合打印輸出，16μs脈沖激光厚度，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸入輸出熱效率

-效果=62%

-增益控制值=14.4 dB

?也在48 V、38 W（CW）輸出精度最大功率下操作方法10:1 VSWR

?嫩模對模型1A級（選擇ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導熱系數

?無鉛并滿足了RoHS的標準

廣州 市立維創展科學有限制的總部授權許可經售CREE徽波集成電路芯片，倘若需要購CREE設備，請雙擊左面微信客服找話題人們！！！