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　　Skyworks 的 ATN3580-03 系類進行固定衰減器ICIC芯片用到高阻值功率率硅ICIC芯片上的塑料薄膜阻值功率器技術設備，提拱透徹的衰減、高崎嶇不平度和高達hg 40 GHz 的優異回波耗用耐熱性。　　內在基本特性：　　聚酰亞胺膜技術設備：在高內阻率硅集合塊上集合聚酰亞胺膜內阻器，帶來較好的公率操作性能。　　穩定穩定性 TEE 格局：運行穩定穩定性的 TEE 熱敏電阻格局為了確保寬帶網絡寬性能方面。　　DC 衰減：所以衰減器集成塊都同一了直流電源(DC)衰減。　　幀率范疇：衰減器開發提供從 0.1 GHz 到 40 GHz 的幀率范疇內的效能條件。　　高技術規格型號：　　標稱衰減：打造 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減高級設置。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減崎嶇不平度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波材料耗費：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波損耗費：不超 16 dB，隨后 40 GHz。　　額定工作功率加工：可高達 1 W 的連續不斷波(CW)額定工作功率加工學習能力。　　選用優勢可言：　　高頻率耐熱性：設計制作請求高至 40 GHz 的概率請求，采中用高頻用。　　高回波不足：事關無線信號的高貨真傳導。　　高精度衰減：供給高精度的衰減值和容差，能夠滿足高精度操縱網絡信號密度的需求分析。　　耐耗用性：復合膜硅集成塊結構特征堅硬耐耗用，適合長久的相對穩定自動運行。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40