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AM020MH2-BI-R HiFET油田GaAs場效用管AMCOM

推送用時:2024-09-20 08:56:24     預覽:785

  AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs HiFET的一部分。這款HiFET是一種部分匹配的專利設計,適用于高電壓、高功率和寬帶應用。此組件具有4毫米的總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高功率微波應用設計,頻率范圍最高可達6GHz。

  BI系列的用到特別結構設計的瓷磚打包封裝形式,包括直引腳配置家居風格。打包封裝形式下端的法蘭部還看做DC跨接極、RF跨接極和散熱性能路徑名。還還有一個種屈曲引腳版適宜于外面貼裝技術性(SMT)使用。

AM020MH2-BI-R HiFET高壓GaAs場效應管AMCOM

  特點

  - 光纖寬帶的部分適合:DC至2.4GHz  - 高頻率操作流程:達到6GHz  - 高收獲:在3.5GHz時收獲15dB  - 高熱效率:在3.5GHz時P1dB為31dBm  - 高直線度:在3.5GHz時IP3為46dBm  - 上端一定接地可以有效cpu散熱

  應用

  - 網絡帶寬技術應用  - 高電阻10V至14V  - 遠程局域網ip  - PCS移動基站  - WLAN、中繼器和HIPERLAN  - 聲納和航空運輸通迅

  參數:

Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web)
Freq
(MHz)
MAG(S11)ANG(S11)MAG(S21)ANG(S21)MAG(S12)ANG(S12)MAG(S22)ANG(S22)
200 0.621 -18.621 8.642 167.68 0.045 13.795 0.405 4.177 
500 0.631 -43.6 8.277 149.531 0.036 -25.302 0.509 -3.917 
1000 0.64 -80.941 7.365 121.484 0.028 -26.833 0.578 -25.813 
1500 0.679 -107.195 6.336 98.301 0.025 -25.939 0.601 -44.057 
2000 0.683 -130.367 5.444 76.973 0.024 -29.102 0.615 60.441 
3000 0.687 -167.484 4.115 39.754 0.02 -40.691 0.647 88.875 
4000 0.677 163.773 3.294 7.847 0.014 -56.361 0.692 -112.52 
5000 0.641 137.336 2.805 -21.489 0.003 -153.734 0.706 -129.172 
6000 0.599 105.863 2.726 -51.602 0.023 43.555 0.79 146.367 
7000 0.541 58.244 2.604 -87.004 0.037 7.578 0.817 -166.602 
8000 0.571 0.882 2.359 125.16 0.047 -25.074 0.839 172.109 
9000 0.687 -45.787 -162.023 0.057 -52.545 0.83 150.031 
10000 0.808 -78.57 1.688 163.75 0.069 80.164 0.799 126.715 


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