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 HMC637BPM5E不是款砷化鎵(GaAs)、單集成化電路原理芯片微波通信集成化電路原理(MMIC)、假晶高自動化遷徙率結晶管(pHEMT)、級聯分布點式內容所在調小器，在正常情況下崗位時可實現目標自偏置且具備有IDQ可選擇偏置把控和增加收益調節。該調小器的崗位平率比率為DC至6 GHz，提供了15 dB小的信號增加收益、27.5 dBm內容所在內容所在（1 dB增加收益文件壓縮）、40 dBm典型性內容所在IP3和4 dB噪音分貝指數公式，用到VDD 12 V主機電源電壓值時耗電量為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍之內內的增益值出平整度（典例值±0.5 dB時）至關優秀，因其是及其滿足軍事、太空飛船和測試測試機械使用。HMC637BPM5E還含有內部管理導入至50 Ω的導入/內容輸出(I/O)，所采用符合標RoHS標的5 mm × 5 mm LFCSP預制混凝土空腔封裝類型，可與高體積表貼能力(SMT)組裝機械兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2