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HMC219B也是款超小行普通雙穩定性混頻器，主要包括8引腳超小行塑膠片表貼電源芯片封裝，帶外露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電源芯片微波射頻集成系統三極管(MMIC)混頻器主要包括砷化鎵(GaAs)輕金屬半導體技術場不確定性納米線管(MESFET)方法手工制造，不用第三方部件或匹配好三極管。該集成電路芯片常用作次數的范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流伺服控制器、下直流伺服控制器、雙相調制解調器或相位較器。 立維創展HMC219B采取經過優化方案的巴倫結構類型，展示 好品質的本振(LO)至頻射(RF)防曬分隔霜及LO至中頻(IF)防曬分隔霜特點。契合國家RoHS規格的HMC219B不能不線焊，與高存儲量表貼打造技木兼容。MMIC特點相對穩定可增進軟件系統運轉錯誤率并確保安全契合國家HiperLAN、U-NII和ISM規范想要。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE軟件

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖