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HMC7912LP5E/HMC7912LP5ETR軍用裝備預警雷達上直流三菱變頻器 ADI外盤

發部時長:2018-07-04 09:24:31     閱讀:2078

HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。 立維創展HMC7912LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼制造技術。


品牌 型號 描述 貨期 庫存
ADI HMC7912LP5E,HMC7912LP5ETR GaAs MMIC I/Q上變頻器21 GHz至24 GHz 現貨 102


HMC7912LP5E應用

  • 點對點和點對多點無線電
  • 軍用雷達、EW和ELINT
  • 衛星通信

  • 傳感器

HMC7912LP5E優勢和特點

  • 轉換增益:15 dB(典型值)
  • 邊帶抑制:22 dBc(典型值)
  • 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率:4 dBm(典型值)
  • 輸出三階交調截點(OIP3):33 dBm(典型值)
  • RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:5 dBm(典型值)
  • 中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏:-35 dBm(典型值)
  • RF回波損耗:15 dB(典型值)
  • LO回波損耗:15 dB(典型值)
  • 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

HMC7912LP5E結構圖


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