HMC457QS16GE/HMC457QS16GETR異質結雙正負極尖晶石管 ADI現貨平臺售銷
推送時候:2018-06-25 16:09:44 閱覽:7946
HMC457QS16G(E)是款高各式各樣范圍之內GaAs InGaP異質結雙電性結晶體管(HBT)、1瓦特MMIC耗油率縮放器,在1.7至2.2 GHz的幾率下運轉。 該縮放器選取小形16引腳QSOP塑芯片封裝,其增加收益在1.7至2.0 GHz幾率下一般為27 dB,在2.0至2.2 GHz幾率下一般為25 dB。 它僅選擇加性次數的異常組件,其導出IP3需要優化作+45 dBm。 需要利用率耗油率掌握(Vpd)確保是掉電或RF導出耗油率/工作電流掌握。 高導出IP3和PAE會使HMC457QS16G(E)形成非常適合蜂窩/3G信號塔和中繼器采用的良好耗油率縮放器。
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品牌
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型號
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描述
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貨期
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庫存
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ADI
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HMC457QS16GE
HMC457QS16GETR
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1瓦特功率放大器,采用SMT封裝,1.7 - 2.2 GHz
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現貨
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257
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HMC457QS16G應用
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CDMA和W-CDMA
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GSM、GPRS和Edge
HMC457QS16G優勢和特點
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輸出IP3: +46 dBm
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增益: 27 dB (1900 MHz時)
PAE為48%(Pout為+32 dBm時)
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+25 dBm的W-CDMA通道功率(ACPR為-50 dBc時)
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集成功率控制(Vpd)
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QSOP16G SMT封裝: 29.4 mm2
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包含在HMC-DK002設計人員套件中
HMC457QS16G結構圖
