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HMC1144是款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子廠搬遷率(pHEMT)、單處理器微波射頻融合三極管(MMIC)規劃式電率放小器，上班頻點范疇圖為40 GHz至70 GHz。 在40 GHz至50 GHz的超低頻高壓發生器段范疇圖內，HMC1144展示 19 dB增加收益控制值（具代表性值）、28 dBm導出IP3及19.5 dBm導出電率（1 dB增加收益控制值文件壓縮成）。 在50 GHz至70 GHz的高頻率段范疇圖內，HMC1144展示 19 dB增加收益控制值（具代表性值）、32 dBm導出IP3及21 dBm導出電率（1 dB增加收益控制值文件壓縮成）。 HMC1144選取4 V電原電力，工作電壓為320 mA。 HMC1144放小器發送/導出組織結構配對50 ?，可方面地融合至少處理器引擎(MCM)。 幾乎所有數據報告均由經過最快0.076 mm (3 mil)的兩個0.025 mm (1 mil)線焊聯系的處理器獲利。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC1144	35 GHz至70 GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、中等功率放大器	現貨	68

HMC1144采用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

HMC1144結構和特點

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率： 21 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)： 22 dBm（典型值）
• 增益： 19 dB（典型值）
• 輸出三階交調截點(IP3)： 28 dBm（典型值）
• 電源電壓： 4 V (320 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.3 mm × 1.8 mm × 0.102 mm

HMC1144結構圖