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發布信息用時:2024-12-17 11:21:28 看:672
CREE擴大了其在增碳硅(SiC)技能中的為主導價值,低電感分立打包封裝必備寬沿面和漏極與源極之前的接縫處間隔(~8mm)。900 V分立增碳硅MOSFET靈便采取近期的MOSFET處理器高頻性能指標,但會打造軟件應用于高被污染環保的超支不間斷丟開。獨特的開爾文源管腳減輕了額定功率電感;最后面板開關衰減減輕了30%。規劃師能能都可以能夠 從硅基轉移到硅基來減小元器件封裝數;都可以能夠 增大電開關耐熱性,能能都可以能夠 三電平拓補轉替換成成比較高效的兩電平拓補。
基本特征
在整體布局的工作攝氏度範圍內,至少線電壓是900V Vbr
帶控制源的低阻抗匹配封裝類型
高抑制交流電壓,低RDS(取消)
低反向的方式給回還原(Qrr)的高效益本征整流二極管
不方便串聯,采用簡約

優點
經過可以減少按鈕和傳導耗損的提升系統性高效率
控制高打開速率控住
延長平臺級馬力體積
降底設備人數;總重量;和冷確需求分析
啟動的新的硬控制開關拓撲結構(Totem Pole PFC)
典型的APP
馬達把握體系
新能量e電動車充電樁平臺
救急24v電源(UPS)
充電測試方法系統
新生物質能電動式車極速版充能設計
車載導航充能器
傳動齒輪儀器
電焊熱處理工藝設備
成都 市立維創展科學技術較少企業管理權限代理商CREE微波加熱電子器件,假如應該購CREE服務,請彈窗右面在線客服關系我們大家!!!
| Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package |
| C3M0065090D | 900 V | 65 mΩ | 36 A | 150 °C | TO-247-3 |
| C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | 150 °C | TO-247-3 |
| C3M0280090D | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-247-3 |
| C3M0030090K | 900 V | 30 mΩ | 63 A | 150 °C | TO-247-4 |
| C3M0065090J | 900 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 |
| C3M0120090J | 900 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 |
| C3M0280090J | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-263-7 |