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900 V分立氧化硅MOSFET CREE

發布信息用時:2024-12-17 11:21:28     看:672

CREE擴大了其在增碳硅(SiC)技能中的為主導價值,低電感分立打包封裝必備寬沿面和漏極與源極之前的接縫處間隔(~8mm)。900 V分立增碳硅MOSFET靈便采取近期的MOSFET處理器高頻性能指標,但會打造軟件應用于高被污染環保的超支不間斷丟開。獨特的開爾文源管腳減輕了額定功率電感;最后面板開關衰減減輕了30%。規劃師能能都可以能夠 從硅基轉移到硅基來減小元器件封裝數;都可以能夠 增大電開關耐熱性,能能都可以能夠 三電平拓補轉替換成成比較高效的兩電平拓補。

基本特征

在整體布局的工作攝氏度範圍內,至少線電壓是900V Vbr

帶控制源的低阻抗匹配封裝類型

高抑制交流電壓,低RDS(取消)

低反向的方式給回還原(Qrr)的高效益本征整流二極管

不方便串聯,采用簡約

MOSFET.png

優點

經過可以減少按鈕和傳導耗損的提升系統性高效率

控制高打開速率控住

延長平臺級馬力體積

降底設備人數;總重量;和冷確需求分析

啟動的新的硬控制開關拓撲結構(Totem Pole PFC)

典型的APP

馬達把握體系

新能量e電動車充電樁平臺

救急24v電源(UPS)

充電測試方法系統

新生物質能電動式車極速版充能設計

車載導航充能器

傳動齒輪儀器

電焊熱處理工藝設備

成都 市立維創展科學技術較少企業管理權限代理商CREE微波加熱電子器件,假如應該購CREE服務,請彈窗右面在線客服關系我們大家!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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