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?CMPA0060002D頻射變小器CREE

發布公告時：2024-12-02 17:14:36 網頁瀏覽：679

CMPA0060002D有的是種中帶氮化鎵（GaN）高智能電子遷徙率尖晶石管（HEMT）的片式微波加熱融合電源電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相對來說較，GaN具進一步優良的安全性能，是指更為重要的穿透場強、更為重要的達到飽和狀態電商漂移時速與更為重要的熱傳導彈性系數。與Si和GaAs氯化鈉晶體管相較于較，GaN HEMT還給予更高的的功效容重和更寬的下行帶寬。CMPA0060002D利用分散式（導波）放小器設計的構思，并能在更小的被占占地面積內滿足極寬的帶寬起步。