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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高網絡轉入率結晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵比較較，GaN應有出色的性能指標；含有較高的穿透場強；飽合電子廠偏離快速較高；非常較高的傳熱系數性。與Si和GaAs氯化鈉晶體管比起較，CGHV60170D出示較高的輸出功率密度單位和更寬的頻寬凈寬。

食品尺寸規格

闡釋：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT心(xin)片

低些聲音頻率（MHz）：0

是最高的頻率（MHz）：6000

收獲值（dB）：17

封裝類型(xing)品類：Die

本質特征

65%主要表現電功率浮動速度

170 W其最典型的PSAT

50V反控

高擊穿電壓場強

頻繁(fan) 超范圍高至6 GHz

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