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WS1A2639-V1-R3K是CREE的四款非中心對稱多赫蒂效率拖動器方案（PAM），將GaN on SiC方法應用和當代化的輸入和偏置線電壓在線模塊化在具備著高端定制排熱系統軟件的高層層壓基面材料上。WS1A2639-V1-R3K頻帶寬度領域在2496 MHz至2690 MHz。還有就是用到是最高的50V的交流電源的電壓；平均輸出電壓效率規范為6至8 W，極限值要素下跌，數值預失真實LTE和5G NR資料移動信號，瞬時資源帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被禁裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）二極管封裝中。

好產品尺寸規格

詮釋：38.5dBmGaN on SiC效率(lv)變大器摸塊；2496-2690MHz

最少的頻(pin)率（MHz）：2496

上限(xian)幾(ji)率（MHz）：2690

P3dB傳(chuan)輸電功(gong)率（W）：50

增益控制值（dB）：16.5

效應（%）：57

額定功率相電壓（V）：48

芯片封裝品目(mu)：外(wai)面(mian)貼(tie)裝

二極(ji)管打(da)包封裝：二極(ji)管打(da)包封裝分立納米線(xian)管

能(neng)力適用(yong)：SiC上的GaN

結構特征

GaN基SiC高技術廣泛(fan)應用

從功(gong)率器件二側主(zhu)導和(he)極(ji)限值子(zi)擴大器掌握柵極(ji)偏置(zhi)電壓值主(zhu)機電源

集成式(shi)化諧波數據終端

無鉛并充分滿足RoHS標準(zhun)規(gui)定

推送(song)的驅動裝配裝配是WSGPA01

山東市立維創展信息技(ji)術是有限(xian)的平臺授權證書代理商CREE微波加熱電子器件(jian)，若(ruo)是應(ying)該購CREE軟件(jian)，請(qing)點擊事件(jian)左面客(ke)服中(zhong)心建立聯系(xi)咱們！！！