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GTRB204402FC/1是CREE的十款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子變遷率晶胞管（HEMT），著力推進于多規格蜂窩狀輸出調小器新技術利用標準設計構思。GTRB204402FC具備快速率和無軸環的熱強化封裝。

車輛規模

分析：SiC HEMT上的高功效RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

評均規律（MHz）：1930

最多頻點（MHz）：2020

P3dB輸出電機功率（W）：350

增益控制值（dB）：16.3

效果率（%）：58

額定值電阻值（V）：48

二極管封裝類型：Earless

二極管封口：二極管封口分立納米線管

技巧：SiC上的GaN

功能

舉例的電脈沖CW特性，2020 MHz，48 V，10μs單脈沖凈寬，10%pwm占空比，組裝所在

P3dB=350W時的導出電率

P3dB時的速率率=65%

女模特實體模型1C級（只能根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并符合RoHS規則

河南市立維創展科技有現司有現司許可經銷處CREE微波通信電子器件，倘若必須 購CREE車輛，請選擇右邊人工服務關系我國！！！