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?PXAE263708NB-V1 S中波段大工作電壓rf射頻LDMOS場不確定性晶狀體管

發布消息事件:2024-11-04 16:57:13     手機瀏覽:668

PXAE263708NB-V1是CREE的一臺400瓦(P3dB)LDMOS FET,用途于2620至2690 MHz頻段的多標準規范蜂窩狀額定功率增加器技術APPAPP。包含了投入讀取適用;高增加收益已經體現了無突緣的熱增加封口行式。PXAE263708NB-V1用獨特性的LDMOS技藝的技術;PXAE263708NB-V1具備有非常好的熱穩固性和良好的安全保障能。

PXAE263708NB-V1.png

產品外形尺寸

闡釋:高工作效率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

更低頻帶寬度(MHz):2620

非常高率(MHz):2690

P3dB傳輸平均功率(W):400

增益控制(dB):13.5

效果(%):47

額定負載相電壓(V):28

裝封品類:朔料

封裝:封裝結構分立結晶體管

枝術:LDMOS

特征描述

網絡帶寬外部放入輸入輸出自適應

非對應點性Doherty設計制作:主P1dB=140W經典值;是最高的值P1dB=260 W關鍵值

典型案例的脈沖造成的CW優點;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的傳輸馬力;P3dB=400W時的效果瓦數;率=49%(POUT=57 W平均值);增益控制=15 dB(POUT=57 W標準差)

都可以操作32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸出的電率

結合化ESD確保

無鉛并達到RoHS標準的

山東市立維創展科技產業是有限的品牌授權管理代理商CREE紅外光元器,假如必須要 購CREE好產品,請選擇左測客戶關聯大家!!!

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