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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高公率RF GaN變大器，選用于多標準蜂窩狀工作功率變大器技術選用。GTRA262802FC符合發送適用、的效率率和無軸環熱不斷增強打包封裝的特征參數。

品種參數設置

表述：SiC HEMT的高工率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

低些率（MHz）：2490

最低頻段（MHz）：2690

P3dB的輸出電機功率（W）：250

增益值值（dB）：14

吸收率（%）：54

固定相電壓（V）：48

封裝形式多種類型：Earless

封裝：封裝分立晶狀體管

技術設備應該用：SiC的GaN

癥狀

?GaN-on-SiC HEMT枝術運用

?進入匹配

?主要表現的脈沖激光CW的性能，2605 MHz，48 V，結構效果，16μs智能參數，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的讀取功效

-使用率=62%

-增益值值=14.4 dB

?一起在48 V、38 W（CW）輸送瓦數下運行10:1 VSWR

?摸特模板1A級（通過ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱擴散系數

?無鉛并達到RoHS標準

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