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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D形式 增加器，可用做于多規范蜂窩狀耗油率增加器技術水平廣泛應用。GTVA261802FC-V1有著輸進適應、極有工作效率率和無軸環熱不斷增強封裝的形態。

企業產品規格為

舉例說明：SiC HEMT上的高輸出RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

保底的頻率（MHz）：2620

比較大的頻次（MHz）：2690

P3dB輸出精度工作效率（W）：170

收獲值（dB）：16.8

更高高效益（%）：43

額定容量端電壓（V）：48

打包封裝類：Earless

封口形式：封口形式分立晶胞管

工藝：SiC上的GaN

特性

?GaN-on-SiC HEMT技能

?顯示配適

?明顯的脈沖發生器CW特性，三人組合輸出的，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖發生器厚度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的工作輸出公率

-P3dB時的漏相當高學習效率=65.5%

-P3dB=15dB時的增益控制值

?夠結束48 V、180 W（CW）的輸出工作功率下10:1的VSWR

?超模對模型1A級（據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導熱性指數公式

?無鉛并需求RoHS規則

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