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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT極具高模擬傳輸電耗油率規格和移動寬帶寬下的極有效果率。然而 GaN HEMT的平滑度一般而言比GaAs元件的平滑度差。這篇文系統闡述沒事種輕松的方式來解決GaN HEMT的平滑度。所系統闡述的方式是將元件劃分為與經濟獨立把控的柵極偏置相電壓串并聯的二個子象限，再對仗象限模擬傳輸開展電耗油率組和。

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