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上架時候:2024-06-07 08:41:20 看:961
CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。相比硅或砷化鎵,GaN具有更高的性能,包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱性。與Si和GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC采用10引線金屬/陶瓷法蘭封裝,具有最佳的電氣和熱性能。

特性:
25db小移動信號收獲 35w常見PSAT 運行高達mg28 V 高擊穿直流電壓直流電壓 中高溫方法 尺碼1.00 x 0.385寸大 該頻射增加器適用人群于一對一wlan電、網絡通訊或是電力衛星網絡通訊下行等APP。Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):
| Parameter | 5.8 GHz | 6.4 GHz | 7.2 GHz | 7.9 GHz | 8.4 GHz | Units |
| Small Signal Gain | 29.5 | 24.0 | 24.0 | 24.0 | 22.0 | dB |
| Output Power1 | 15 | 23 | 20 | 19 | 19 | W |
| Power Gain1 | 21.7 | 19.5 | 17.2 | 18.5 | 18.6 | dB |
| Power Added Efficiency | 30 | 25 | 20.5 | 19 | 19.5 | % |
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