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28-32 GHz（Ka頻段）GaN功率放大器MMIC

CMD217有的是款8.5 W RF /微波加熱GaN MMIC效率變成器電源芯片，極為適于于Ka頻段通訊系統，這之中高效率和高線性網絡度是必不得少的制作標準。該電率器件出示不低于20 dB的收獲，根據的導出1 dB減小點為+36.7 dBm，飽和點導出電率為+39.3 dBm，電率額外添加利用率為35％。CMD217變成器用到50歐姆篩選制作，暫時無法外DC摸塊和RF端口處篩選。CMD217還提供了全鈍化，以增長靠譜性和防潮濕性。

品牌	型號	貨期
Custom mmic	CMD217	3-4周

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表現形式

• 利用率更佳
• 高平滑度
• 大工率
• 正增益控制斜率
• 電子器件長寬高小

指標	一般
速率（GHz）	28 - 32
增益值（dB）	20
噪聲污染指數公式（dB）
相位燥聲（dBc / Hz）
輸送P1dB（dBm）	36.7
輸出Psat（dBm）	39.3
OIP3（dBm）	41
偏置交流電壓Vdd / Vgg（V）	+28 / -3.4
偏置電壓（mA）	580

CUSTOM MMIC功率放大器用于射頻功率放大器設計的C，X，K，Ku和Ka波段GaAs和GaN MMIC

常見，基礎科學的RF /微波通信通信機體統分析的和子核心部件的的尺寸深受局限，然而可以比共有技巧更好的平滑網絡度位置。制作MMIC專注于于能給予了給予了RF /微波通信通信機體統很好電熱錯誤率和高平滑網絡供需的GaAs和GaN電熱錯誤率調小器（PA），一并能給予了體現了光纖寬帶寬的小形裸片和外表面貼裝（SMT）封裝。基于要知道最優的電氣成套耐熱性僅占一大半，Custom MMIC能給予了大量電熱錯誤率調小器，選用50歐姆搭配制作的和單一純粹正偏置交流電源線電壓，可降底冗雜的偏置隊列，以此降底料工費并最省空間。其他的用途還主要包括：高工作輸出電熱錯誤率，高平滑網絡度和優質的錯誤率。高電熱錯誤率孔隙率GaN MMIC制作的也是常用的。

頻率 （GHz）:DC - 32

增益 （dB）:11-30

噪聲 系數 （dB）:3-6.5