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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

以后，這個人認真的工作成果會導致無源GaN混頻器規劃方案在錄入三階交調截點（IIP3）與本地人諧振器（LO）推動程序器的占比這方面突破每個砷化鎵（GaAs）無源混頻器規劃方案 - a的質量質因數個人定制MMIC將要創造線型吸收率。從S波長到K波長（2 GHz到19 GHz），這個新興無源GaN混頻器展示臺的IIP3羅馬數字遠少于30 dBm，LO推動程序電平約為20 dBm，線型吸收率少于10 dB。

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