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HMC637BPM5E砷化鎵級聯規劃式輸出功率調大器 ADI現貨黃金銷售商商

上架時候:2018-06-05 15:50:41     網頁瀏覽:2505

 HMC637BPM5E有的是款砷化鎵(GaAs)、單電子無線器件微波加熱一體化電路原理(MMIC)、假晶高電子無線滲透率結晶體管(pHEMT)、級聯分布圖制作式電率調小器,在沒問題事情時可構建自偏置且兼備IDQ要選偏置管理和收獲值值調低。該調小器的事情聲音頻率范圍圖為DC至6 GHz,保證15 dB小數據信息收獲值值、27.5 dBm傷害電率(1 dB收獲值值擠壓)、40 dBm關鍵傷害IP3和4 dB躁音數據,利用VDD 12 V電源適配器額定電壓時顯卡功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍之內內的增益控制AA度(典型性值±0.5 dB時)很卓越,因此最為可以日本軍事、空間和測驗機械app。HMC637BPM5E還極具企業內部相配至50 Ω的輸入/效果(I/O),應用適用RoHS標準的的5 mm × 5 mm LFCSP配置式空腔打包封裝,可與高儲存量表貼枝術(SMT)配置機械兼容。

品牌 型號 描述 貨期 庫存
ADI HMC637BPM5E GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1 W功率放大器 現貨 28

HMC637BPM5E結構圖



HMC637BPM5E應用

  • 軍事與太空
  • 測試儀器儀表


HMC637BPM5E優勢和特點

  • P1dB輸出功率:27.5 dBm(典型值)
  • 增益:15 dB(典型值)
  • 輸出IP3:40 dBm(典型值)
  • 在VDD = 12 V(335 mA,典型值)下自偏置,VGG1(針對IDQ調整)和VGG2(針對增益控制)具有可選偏置控制
  • 50 Ω匹配輸入/輸出
  • 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝:25 mm2


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