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HMC219B就是款超中大型萬能雙平衡量混頻器，進行8引腳超中大型pp塑料表貼封裝，帶曝露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單單片機芯片徽波集合電路板板(MMIC)混頻器進行砷化鎵(GaAs)重金屬光電電子元件場調節作用尖晶石管(MESFET)制作工藝開發，必須表面電子元件或篩選電路板板。該電子元件可作作概率時間范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相配制器或相位較好器。 立維創展HMC219B按照路過改進的巴倫成分，供給優異的本振(LO)至微波射頻(RF)防護隔離防曬及LO至中頻(IF)防護隔離防曬特點參數。完全達到RoHS規定的HMC219B不用辦理線焊，與高數量表貼加工加工工藝水平兼容。MMIC特點參數穩定可靠可加快控制系統工作任務學習效率并抓實完全達到HiperLAN、U-NII和ISM法規標準特殊要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE操作

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖