一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

HMC635就是款GaAs PHEMT MMIC控制擴大器裸片，運作上運作概率位置內為18至40 GHz。 該擴大器提拱19.5 dB的增加收益值，+29 dBm輸送IP3及+23 dBm的輸送效率（1 dB增加收益值收縮時），功能消耗為280 mA（+5V電源信息模塊）。 HMC635更加滿足最為徽波有線電選用的控制擴大器，或作為運作上運作概率位置內為18至40 GHz的混頻器LO擴大器，可提拱高達到+24 dBm的趨于穩定輸送效率(15% PAE)。 隔直擴大器I/O內部結構搭配50 Ω，更加滿足集成系統到多集成電路電子器件信息模塊(MCM)中。 其它集成電路電子器件數據庫均采用集成電路電子器件添加，其經由這兩個長為500 μm的1 mil線焊接入輸人和輸送RF網口。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC635 HMC635-SX	驅動放大器芯片，18 - 40 GHz	現貨	267

HMC635應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和VSAT
• 混頻器用LO驅動器

• 軍事和太空

HMC635優勢和特點

• 增益： 19.5 dB
• P1dB: +23 dBm
• 輸出IP3： +29 dBm
• 飽和功率：
  +24 dBm (15% PAE)
• 電源電壓： +5V (280 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出<
• 裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

HMC635結構圖