HMC457QS16GE/HMC457QS16GETR異質結雙導電性單晶體管 ADI外盤營銷
發布的時長:2018-06-25 16:09:44 瀏覽器:7866
HMC457QS16G(E)是款高動態數據標準GaAs InGaP異質結雙正負晶胞管(HBT)、1瓦特MMIC運行效率變小器,在1.7至2.2 GHz的概率下運行。 該變小器利用率小型16引腳QSOP塑料管芯片封裝,其增益值在1.7至2.0 GHz概率下通暢為27 dB,在2.0至2.2 GHz概率下通暢為25 dB。 它僅在使用很小次數的外表部件,其效果IP3還可以優轉化成+45 dBm。 還可以利用率運行效率操作(Vpd)管理仍然掉電或RF效果運行效率/電流值操作。 高效果IP3和PAE使用HMC457QS16G(E)成非常適合蜂窩/3G基站天線和中繼器采用的期望運行效率變小器。
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品牌
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型號
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描述
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貨期
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庫存
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ADI
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HMC457QS16GE
HMC457QS16GETR
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1瓦特功率放大器,采用SMT封裝,1.7 - 2.2 GHz
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現貨
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257
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HMC457QS16G應用
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CDMA和W-CDMA
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GSM、GPRS和Edge
HMC457QS16G優勢和特點
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輸出IP3: +46 dBm
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增益: 27 dB (1900 MHz時)
PAE為48%(Pout為+32 dBm時)
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+25 dBm的W-CDMA通道功率(ACPR為-50 dBc時)
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集成功率控制(Vpd)
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QSOP16G SMT封裝: 29.4 mm2
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包含在HMC-DK002設計人員套件中
HMC457QS16G結構圖
