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AM025WN-00-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬為2.5毫米（mm）（3個1.25公分FET串并聯）。它一個裸模，可操作方法超過15千兆赫。它能夠保證40.5 dBm的非常典型飽和狀態電率。此局部復合RoHS。

基本特征

到達15GHz的高頻率操作使用

在2GHz時增加收益=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

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