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AM005WN-BI-R都是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總厚度為0.5mm。它都是個瓷質芯片封裝，做工作頻點大約12ghz。BI編通過特定設置的淘瓷打包封裝，通過融入到式裝措施，中含彎折變形（BI-G）或直（BI）電纜。封裝下端的法蘭盤另外用做直流電源接地裝置裝置、頻射接地裝置裝置和熱檢修通道。此組成部分適合RoHS。

特殊性

高達模型12GHz的中頻工作

增加收益=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz

接觸面貼裝

很好排熱的下層

軟件

高gif動態接受器

蜂窩無線wifi移動基站

帶寬和窄帶擴大器

預警雷達

測試檢測設備

在軍事

電磁干擾器