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微波加熱元功率器件
AM012WN-BI-R是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總厚度為1.25亳米。它是在是一個衛浴陶瓷雙包實際操作萬代高達10千兆赫。BI系類通過特異設計的陶瓷圖片封口，通過鑲入式按照方式，帶異可以彎曲的（BI-G）或直（BI）電纜線。打包封裝最下面的蝶閥法蘭而且用到電流等電位連接、微波射頻等電位連接和熱區域。此的部分契合RoHS。
表現形式
更是高達10GHz的高頻率的操作
增益控制=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
接觸面貼裝
更好導熱的社會底層
用途
高動態展示吸收器
蜂窩無限通信基站
移動寬帶和窄帶變小器
汽車雷達
測試方法議器
在軍事
干擾信號器