中文名字
微波射頻元電子元件
AM025WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬為2.5mm。它也是個陶瓷制品芯片封裝，事情頻段高至8千兆赫。BI全系列選擇特有定制的陶瓷圖片打包封裝，選擇置入式連接方試，帶著耐折（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝類型上端的蝶閥法蘭一同可作直流電源接地極線、微波射頻接地極線和熱路通道。此部門不符合RoHS。
共同點
高達模型8GHz的低頻的操作
增益值=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
外表貼裝
更有效熱量散發的底部
操作
高動向讀取器
蜂窩無線網通信基站
移動寬帶和窄帶變大器
預警雷達
測試圖片檢測儀器
軍事化
侵擾器