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Cree我司的CMPA2560025F一種研究背景氮化鎵（GaN）高微智能遷出率單結晶管（HEMT）的片式微波射頻集成系統集成運放（MMIC）。與硅或砷化鎵好于，GaN具備著較高的熱擊穿電壓電流、較高的趨于穩定微智能漂移時間和較高的熱導率。與Si和GaAs單結晶管好于，GaN-hemt還具備著較高的功效容重和更寬的上行寬帶。此類MMIC一般包括一種有級化學反應篩選變大器，使特別寬的上行寬帶可在一種小的土地征用空間的壓緊封裝，具備著銅鎢風扇風冷散熱器。

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