CGH09120F也是種氮化鎵(GaN)高光電搬遷率晶胞管(HEMT),專為熱效率高率、高收獲和光纖寬帶技能而規劃,這因此CGH09120F成MC-GSM、WCDMA和LTE縮放器采取的自然抉擇。晶胞管采取工業陶瓷/金屬法蘭盤芯片封裝。
微波射頻元電子電器元件
CGH09120F大公率網絡帶寬氮化鎵HEMT工作電壓120WDC-2.5GHz收獲21dB能力35%@20W Pave現貨交易貨存