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XC2100E-03S有的是款低剖面、高特性20dB方向交叉解耦器，主要采用最新型便于采用、生產加工團結的表面上按照二極管封裝。它是為UMTS和另外的3G采用而結構設置的。XC2100E-03S有能結構設置使使用公率和幾率檢側，、需要嚴苛調整交叉解耦和低進到這一領域衰減的VSWR監控。它可以使使用將高達150瓦的大公率采用。與熱收縮因子為435的聚酰亞胺基片（如經要嚴自測的FR0-435）和熱收縮因子相等。提高5/6錫鉛（XC2100A-20P）和6/6浸錫（XC2100A-20S）非常符合RoHS的面磚。

XC2100E-03S顯著特點：?2000–2300兆赫?UMTS和其它3G?高電機功率?極為低的損失?緊密聯系解耦?高偏向性?生產方式友誼型?磁帶和護符?給予無鉛（含砷）或錫鉛?安全可靠，加上=0.41