CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L股票波段的繁多RF最大功率操作出具了寬帶網處理好辦法。該三極管相當比較合適激光脈沖統計操作。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上確立的。它由于準MMIC技術應用。
它以契合RoHS的SMD芯片封裝展示。
紅外光元器材
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
rf射頻服務器帶寬(GHz): 1.2-1.4小移動信號增益值(dB):16額定功率(W):15有關系收獲(dB): > 14P-1dB的輸出(dBm):-PAE(%): > 55進貨交貨:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L股票波段的繁多RF最大功率操作出具了寬帶網處理好辦法。該三極管相當比較合適激光脈沖統計操作。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上確立的。它由于準MMIC技術應用。
它以契合RoHS的SMD芯片封裝展示。