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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

關鍵性技術參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻上行寬帶（GHz）： 1.2-1.4小4g信號增益值（dB）：20工作效率（W）：200有關于增益控制（dB）： > 14P-1dB輸出（dBm）：-PAE（％）： 52備貨交貨期：3-4周

類產品祥情介紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

更加是和脈沖造成的統計使用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT生產工藝上確立的。它源于準MMIC技術設備。

它進行抽真空活套法蘭瓷器五金電壓封口，可提供了低生存和低傳熱系數。