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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

為重要產品參數

CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@工作頻率（GHz）： 14 @ 6崗位頻繁（GHz）：頂多6個飽和狀態電率（W）： 20PAE（％）@速率（GHz）： 60 @ 6進貨交貨期：3-4周

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CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該廠品為汽車雷達和中國聯通等一些RF外接電源應運出具萬能和寬帶網絡徹底處理辦法格式。

它是特征提取SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術工藝開發建設的，并十分符合標準RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制臺命令的中規定。

它以裸處理器主要形式做出，同時必須要間接輸入電源電路。