CHA2091-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統進行基準的pHEMT生產技術開發:柵極直徑0.25μm,依據的基板的通孔,環境橋和電子器材束柵星空刻。
它以IC芯片主要形式提高。
微波加熱元元器
CHA2091-99F 放大器– LNA
rf射頻上行寬帶(GHZ):36 - 40收獲(dB):14增加收益同軸度(dB):0.5嘈音彈性系數(dB):2.5P-1dB導出(dBm):12定貨交貨期:3-4周CHA2091-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統進行基準的pHEMT生產技術開發:柵極直徑0.25μm,依據的基板的通孔,環境橋和電子器材束柵星空刻。
它以IC芯片主要形式提高。