CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計進行標準化的pHEMT施工工藝創造:柵極高度0.25μm,進行基材的通孔,新鮮空氣橋和電子元器件束柵幻影刻。
它以電源芯片結構給出。
紅外光元電子器件
CHA2069-99F 放大器– LNA
頻射帶寬起步(GHZ):16 - 31收獲(dB):22增益控制同軸度(dB):1嗓聲標準值(dB):2.5P-1dB轉換(dBm):10定貨交貨時間:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計進行標準化的pHEMT施工工藝創造:柵極高度0.25μm,進行基材的通孔,新鮮空氣橋和電子元器件束柵幻影刻。
它以電源芯片結構給出。