CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該三極管用到規則的pHEMT加工制作:柵極的長度0.25μm,采用的基板的通孔,氧氣橋和光電子束柵神行者刻。
微波射頻元集成電路芯片
CHA3666-99F 放大器– LNA
rf射頻速率(GHZ): 6 - 17增益控制(dB):21收獲同軸度(dB):0.5噪音比率(dB):1.8P-1dB讀取(dBm):17定購交貨:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該三極管用到規則的pHEMT加工制作:柵極的長度0.25μm,采用的基板的通孔,氧氣橋和光電子束柵神行者刻。