CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電線所采用的標準的pHEMT工藝技術加工:柵極厚度0.25μm,使用柔性板的通孔,廢氣橋和智能電子束柵北極光刻。
它使用無鉛裝封。
微波加熱元電子器件
CHA3666-QAG 放大器– LNA
頻射帶寬起步(GHZ): 5.8 - 17收獲(dB):21增益控制同軸度(dB):0.5嗓聲比率(dB):1.8P-1dB打印輸出(dBm):16購貨貨期:3-4周CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電線所采用的標準的pHEMT工藝技術加工:柵極厚度0.25μm,使用柔性板的通孔,廢氣橋和智能電子束柵北極光刻。
它使用無鉛裝封。