CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該機器設備采用UMMS 0.25μm效率pHEMT流程加工,例如實現基材的通孔和空氣當中橋。
為了能夠細化裝設時候:
集成塊的后面并且rf射頻和電流一定接地
焊盤和背影均燙金,以與共晶集成塊依附手段和熱壓鍵合技術兼容。
微波通信元電子器件
CHA7114-99F 變大器– HPA頻射上行帶寬(GHZ): 8.5-11.5增加收益(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB工作輸出(dBm):-導出工作電壓(dBm):39.8訂購交貨期:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該機器設備采用UMMS 0.25μm效率pHEMT流程加工,例如實現基材的通孔和空氣當中橋。
為了能夠細化裝設時候:
集成塊的后面并且rf射頻和電流一定接地
焊盤和背影均燙金,以與共晶集成塊依附手段和熱壓鍵合技術兼容。