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NPT2010B大功率射頻功率晶體管
NPT2010B大功率射頻功率晶體管
根本性能指標

NPT2010B大額定工作功率微波射頻額定工作功率單晶體管辦公規律:DC-2.2GHz 工作電壓: 100W-50dBm高靠普性淘瓷鑲金封裝GaN工序 


品牌:MACOM

服務商品詳情頁介紹書

NPT2010 GaN-HEMT就是(shi)一種寬帶網結晶體管,為(wei)DC-2.2ghz崗(gang)位而簡化(hua)。該(gai)系統設計(ji)的設計(ji)的用做連著波、智能和(he)平滑操作(zuo)方法,導出工率級為(wei)100W(50dBm),應用帶螺絲法蘭盤的化(hua)工標準規范(fan)材料工業陶瓷封裝(zhuang)。

優點

適(shi)合線型和(he)呈現飽和(he)狀態APP

可從DC-2.2 GHz調諧(xie)

48V實際操作

工業條件包

高排水溝成功率(>60%)

利(li)用

飲水機(ji)通訊

大陸(lu)架(jia)移動手機遠程電

航天(tian)電子技術設施設備

無(wu)限框架措(cuo)施

ISM軟件應用

VHF/UHF/L頻譜雷(lei)達探測(ce)